AP4N1R8CMT-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP4N1R8CMT-A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP4N1R8CMT-A

AP4N1R8CMT-A Datasheet (PDF)

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ap4n1r8cmt-a.pdf

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8.1. Size:137K ape
ap4n1r1cdt-a.pdf

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Liste

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