AP4820AGYT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4820AGYT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: PMPAK3X3

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AP4820AGYT datasheet

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AP4820AGYT

AP4820AGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 8.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G D S D D Description D AP4820A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-

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AP4820AGYT

AP4820AGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 8.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G D S D D Description D AP4820A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-

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AP4820AGYT

AP4820GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G D S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,

 9.1. Size:1324K  1
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