AP4820AGYT Todos los transistores

 

AP4820AGYT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4820AGYT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
 

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AP4820AGYT Datasheet (PDF)

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AP4820AGYT

AP4820AGYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 8.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15AGDSDDDescriptionDAP4820A series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

 0.1. Size:56K  ape
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AP4820AGYT

AP4820AGYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 8.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15AGDSDDDescriptionDAP4820A series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

 8.1. Size:59K  ape
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AP4820AGYT

AP4820GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15AGDSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design,

 9.1. Size:1324K  1
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History: AP50WN1K0I | MDS3651URH | AP4N2R6AMT

 

 
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