IRFI624A Todos los transistores

 

IRFI624A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI624A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IRFI624A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  1
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IRFI624A

 7.1. Size:287K  international rectifier
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IRFI624A

PD - 95607IRFI624GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91147 www.vishay.com1IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com2IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com3IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com4IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com5IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com6IRFI624GPbFPeak Diode R

 7.2. Size:910K  vishay
 irfi624gpbf.pdf pdf_icon

IRFI624A

IRFI624G, SiHFI624GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 14 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 2.7 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.8 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 8.1. Size:210K  1
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IRFI624A

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History: FQP6N40C | BLF6G27L-40P | CEF14P20

 

 
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