IRFI624A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFI624A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO262
IRFI624A Datasheet (PDF)
irfi624g.pdf
PD - 95607IRFI624GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91147 www.vishay.com1IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com2IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com3IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com4IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com5IRFI624GPbFDocument Number: 91147 www.vishay.com6IRFI624GPbFPeak Diode R
irfi624gpbf.pdf
IRFI624G, SiHFI624GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 14 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 2.7 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.8 Low Thermal ResistanceConfiguration Si
irfi620g.pdf
PD - 95606IRFI620GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91146 www.vishay.com1IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com2IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com3IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com4IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com5IRFI620GPbFDocument Number: 91146 www.vishay.com6IRFI620GPbFPeak Diode R
irfi620g sihfi620g.pdf
IRFI620G, SiHFI620GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.80f = 60 Hz) RoHS*Qg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.9 Low Thermal ResistanceConfiguration S
Другие MOSFET... IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , IRFI614A , IRFI614G , IRFI620A , IRFI620G , 2N60 , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRFI640A , IRFI640G , IRFI644A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918