AP4563AGH Todos los transistores

 

AP4563AGH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4563AGH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L
 

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AP4563AGH Datasheet (PDF)

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AP4563AGH

AP4563AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 20m Fast Switching Performance ID 9.6AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S2RDS(ON) 36mG2Description ID -7.3ATO-252-4LAdvanced Power MOSFETs from

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AP4563AGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 20m Fast Switching Performance ID 9.6AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40VG1S2RDS(ON) 36mG2Description ID -7.3ATO-252-4LD1D2Advanced Power MOSFE

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AP4563AGH

AP4563GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -7.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the de

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AP4563GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 30mD1D1 RoHS Compliant ID 6.7AG2P-CH BVDSS -40VS2G1S1SO-8RDS(ON) 36mDescription ID -6AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best

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History: PTF12N90 | SIZ702DT | BUZ901P | STD5407N | SLI80R500SJ | SLF5N60C | SLF80R850SJ

 

 
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