AP4563AGH datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP4563AGH 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252-4L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP4563AGH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4563AGH даташит
ap4563agh.pdf
AP4563AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 20m Fast Switching Performance ID 9.6A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V G1 S2 RDS(ON) 36m G2 Description ID -7.3A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs from
ap4563agh-hf.pdf
AP4563AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 20m Fast Switching Performance ID 9.6A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -40V G1 S2 RDS(ON) 36m G2 Description ID -7.3A TO-252-4L D1 D2 Advanced Power MOSFE
ap4563gh.pdf
AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de
ap4563gm.pdf
AP4563GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 30m D1 D1 RoHS Compliant ID 6.7A G2 P-CH BVDSS -40V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 36m Description ID -6A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best
Другие IGBT... AP4608S, AP4608P, AP4606P, AP4604P, AP4604IN, AP4604I, AP4604AI, AP4563GH, IRF1407, AP4455GYT, AP4453H, AP4453GYT, AP4438GYT, AP4409GEP, AP4036AGYT, AP4034GH, AP4028GEMT
History: PZ5203QV | AP01L60T-H | MTB25C04Q8 | IRF7503 | 2SK641
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor





