AP3NR68CDT Todos los transistores

 

AP3NR68CDT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3NR68CDT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00068 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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AP3NR68CDT Datasheet (PDF)

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AP3NR68CDT

AP3NR68CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 0.68m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP3NR68C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 9.1. Size:163K  ape
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AP3NR68CDT

AP3NR85CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3NR85C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve t

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History: 2N5640 | DM10N65C-2 | FMI13N60E

 

 
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