AP3NR68CDT Todos los transistores

 

AP3NR68CDT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP3NR68CDT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00068 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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AP3NR68CDT datasheet

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AP3NR68CDT

AP3NR68CDT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 0.68m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description PDFN 5x6 D D D D AP3NR68C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

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AP3NR68CDT

AP3NR85CMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP3NR85C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve t

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History: SMG2342N | SE4435

 

 

 

 

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