AP3NR68CDT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3NR68CDT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00068 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3NR68CDT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3NR68CDT даташит

 ..1. Size:137K  ape
 ap3nr68cdt.pdf pdf_icon

AP3NR68CDT

AP3NR68CDT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 0.68m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description PDFN 5x6 D D D D AP3NR68C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

 9.1. Size:163K  ape
 ap3nr85cmt.pdf pdf_icon

AP3NR68CDT

AP3NR85CMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP3NR85C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve t

Другие IGBT... AP4024EJB, AP4024EH, AP3R604GMT-L, AP3R303GMT-L, AP3R303GMT, AP3P9R0I, AP3N1R7CYT, AP3P2R2CDT, IRFZ48N, AP2604CDT, AP3P010YT, AP3N018EYT, AP3C030YT, AP3800YT, AP3700YT, AP2P9R0LYT, AP2N3R7LYT