AP3NR68CDT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP3NR68CDT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00068 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для AP3NR68CDT
AP3NR68CDT Datasheet (PDF)
ap3nr68cdt.pdf
AP3NR68CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 0.68m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP3NR68C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the
ap3nr85cmt.pdf
AP3NR85CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.85m Ultra Low On-resistance ID4 100AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3NR85C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve t
Другие MOSFET... AP4024EJB , AP4024EH , AP3R604GMT-L , AP3R303GMT-L , AP3R303GMT , AP3P9R0I , AP3N1R7CYT , AP3P2R2CDT , AO3407 , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT , AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918