AP3800YT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP3800YT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP3800YT

AP3800YT Datasheet (PDF)

..1. Size:212K ape
ap3800yt.pdf

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9.1. Size:181K ape
ap38028em.pdf

AP38028EMHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 28mD1 Fast Switching Performance ID 6.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP38028E series are from Advanced Power innovated designD1 D2and silicon pro

9.2. Size:59K ape
ap3801gm.pdf

AP3801GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Low On-resistance D RDS(ON) 70mD Fast Switching Characteristic ID -5AG RoHS Compliant SSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

9.3. Size:92K ape
ap3801gm-hf.pdf

AP3801GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 70mD Fast Switching Characteristic ID -5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast

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Liste

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