AP3800YT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3800YT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3800YT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3

 Аналог (замена) для AP3800YT

 

AP3800YT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  ape
ap3800yt.pdfpdf_icon

AP3800YT

AP3800YT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 10.8m G1 Converter Application ID3 10.3A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 8.5m G2 Description ID3 12.7A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 9.1. Size:181K  ape
ap38028em.pdfpdf_icon

AP3800YT

AP38028EM Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6.6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP38028E series are from Advanced Power innovated design D1 D2 and silicon pro

 9.2. Size:59K  ape
ap3801gm.pdfpdf_icon

AP3800YT

AP3801GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 70m D Fast Switching Characteristic ID -5A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 9.3. Size:92K  ape
ap3801gm-hf.pdfpdf_icon

AP3800YT

AP3801GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 70m D Fast Switching Characteristic ID -5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast

Другие MOSFET... AP3P9R0I , AP3N1R7CYT , AP3P2R2CDT , AP3NR68CDT , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , IRFB7545 , AP3700YT , AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT .

 

 
Back to Top

 


 
.