AP3800YT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3800YT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3800YT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3800YT даташит

 ..1. Size:212K  ape
 ap3800yt.pdf pdf_icon

AP3800YT

AP3800YT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 10.8m G1 Converter Application ID3 10.3A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 8.5m G2 Description ID3 12.7A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 9.1. Size:181K  ape
 ap38028em.pdf pdf_icon

AP3800YT

AP38028EM Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6.6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP38028E series are from Advanced Power innovated design D1 D2 and silicon pro

 9.2. Size:59K  ape
 ap3801gm.pdf pdf_icon

AP3800YT

AP3801GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 70m D Fast Switching Characteristic ID -5A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 9.3. Size:92K  ape
 ap3801gm-hf.pdf pdf_icon

AP3800YT

AP3801GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 70m D Fast Switching Characteristic ID -5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3P9R0I, AP3N1R7CYT, AP3P2R2CDT, AP3NR68CDT, AP2604CDT, AP3P010YT, AP3N018EYT, AP3C030YT, IRFB7545, AP3700YT, AP2P9R0LYT, AP2N3R7LYT, AP2609GYT, AP15TP1R0YT, AP10TN028YT, AP0903GYT, AP3P7R0EMT