AP0903GYT Todos los transistores

 

AP0903GYT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP0903GYT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
 

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AP0903GYT Datasheet (PDF)

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AP0903GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, rugge

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AP0903GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

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AP0903GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

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AP0903GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP0903 series are from

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History: IXFV18N90PS

 

 
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