Справочник MOSFET. AP0903GYT

 

AP0903GYT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP0903GYT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
 

 Аналог (замена) для AP0903GYT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0903GYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  ape
 ap0903gyt.pdf pdf_icon

AP0903GYT

AP0903GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, rugge

 0.1. Size:95K  ape
 ap0903gyt-hf.pdf pdf_icon

AP0903GYT

AP0903GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V Good Thermal Dissipation RDS(ON) 9m Low On-resistance ID 16AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 7.1. Size:95K  ape
 ap0903gm-hf.pdf pdf_icon

AP0903GYT

AP0903GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 7.2. Size:168K  ape
 ap0903gm.pdf pdf_icon

AP0903GYT

AP0903GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.5mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP0903 series are from

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT , AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AO3407 , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT .

History: CEP85N75 | AUIRLB3036 | FTK2102 | AUIRFB8405 | IXFC14N80P | SSM6P36FE

 

 
Back to Top

 


 
.