AP0704GMT Todos los transistores

 

AP0704GMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP0704GMT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
 

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AP0704GMT Datasheet (PDF)

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AP0704GMT

AP0704GMT-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7m Low On-resistance ID 62AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDAP0704 series are from Advanced Power innova

 0.1. Size:93K  ape
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AP0704GMT

AP0704GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7m Low On-resistance ID 62AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

Otros transistores... AP10TN028MT , AP10TN012LMT , AP10TN010CMT , AP10TN008CMT , AP10TN004LCMT , AP10TN004CMT , AP10N012MT , AP0904GMT , K3569 , AP0504GMT , AP0203GMT , AP3N2R2MT-L , AP10TN008CMT-L , AP0203GMT-L , AP3P7R0EP , AP3N4R0P , AP3N2R8P .

History: STF18NM60N | 2SK3432-S | 2SJ473-01S | PMZ200UNE | CXDM6053N

 

 
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