AP0704GMT Todos los transistores

 

AP0704GMT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP0704GMT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP0704GMT datasheet

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AP0704GMT

AP0704GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7m Low On-resistance ID 62A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description D AP0704 series are from Advanced Power innova

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AP0704GMT

AP0704GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7m Low On-resistance ID 62A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

Otros transistores... AP10TN028MT , AP10TN012LMT , AP10TN010CMT , AP10TN008CMT , AP10TN004LCMT , AP10TN004CMT , AP10N012MT , AP0904GMT , IRF9540 , AP0504GMT , AP0203GMT , AP3N2R2MT-L , AP10TN008CMT-L , AP0203GMT-L , AP3P7R0EP , AP3N4R0P , AP3N2R8P .

History: EMB20P03G | 4N65KL-TF3-T | IRF720SPBF | 2SK1297 | MMN400A006U1 | IRF7313PBF-1 | 2SK3111

 

 

 

 

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