AP1A003P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP1A003P
   Código: 1A003
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 189 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 83 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP1A003P

AP1A003P Datasheet (PDF)

..1. Size:204K ape
ap1a003p.pdf

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7.1. Size:155K ape
ap1a003gmt.pdf

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7.2. Size:55K ape
ap1a003gmt-hf.pdf

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Liste

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