AP1802GU Todos los transistores

 

AP1802GU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP1802GU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIP
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP1802GU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ape
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AP1802GU

AP1802GU Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20VDD Lower on-resistance RDS(ON) 32mDD Surface mount package ID 5.8AGSSS2021-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve

 9.1. Size:70K  ape
 ap1801gu.pdf pdf_icon

AP1802GU

AP1801GUPb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS -20VDD Lower on-resistance RDS(ON) 70m DDG Surface mount package ID -4ASSS2021-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesto achieve the

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316

 

 
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