AP6679GJ Todos los transistores

 

AP6679GJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6679GJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de AP6679GJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP6679GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ape
 ap6679gh ap6679gj.pdf pdf_icon

AP6679GJ

AP6679GH/JRoHS-compliat ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial STO-252(H)surface mount applications and suited for low voltage appl

 0.1. Size:216K  ape
 ap6679gh-hf ap6679gj-hf.pdf pdf_icon

AP6679GJ

AP6679GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AG RoHS CompliantSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialSTO-252(H)surface mount applications and suit

 7.1. Size:60K  ape
 ap6679gp-a ap6679gs-a.pdf pdf_icon

AP6679GJ

AP6679GS/P-APb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-

 7.2. Size:198K  ape
 ap6679gs.pdf pdf_icon

AP6679GJ

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP18P10GH-HF , AP18P10GJ-HF , AP18T10GH , AP18T10GJ , AP1A003GMT-HF , AP6679BGJ-HF , AP6679GH , AP6679GI , P60NF06 , AP6679GP-A , AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM , AP6681GMT-HF .

History: TMP4N60H | BSC016N03LSG | 2SK1384R

 

 
Back to Top

 


 
.