2N7237 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7237
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 85(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N7237
2N7237 Datasheet (PDF)
2n7237.pdf
PD - 90497FIRFM9240JANTX2N7237JANTXV2N7237JANS2N7237POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/595THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, P-CHANNELProduct Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) IDIRFM9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on
2n7236 2n7236u.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/595 DEVICES LEVELS 2N7236 2N7236U JANJANTXJANTXVABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltage VD
2n7236u.pdf
IRFN91402N7236UMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 18A RDS(on) 0.20FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE SIMPLE DRIVE REQUIREM
Otros transistores... 2N7225 , 2N7227 , 2N7227JV , 2N7227JX , 2N7228 , 2N7228JV , 2N7228JX , 2N7236 , AO3401 , 2N7241 , 2N7242 , 2N7243 , 2N7244 , 2N7271H , 2N7271H1 , 2N7271H2 , 2N7271H3 .
Liste
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