IRFI840GLC Todos los transistores

 

IRFI840GLC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI840GLC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRFI840GLC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  international rectifier
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IRFI840GLC

 ..2. Size:1023K  international rectifier
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IRFI840GLC

PD - 94865IRFI840GLCPbF Lead-Free12/4/03Document Number: 91160 www.vishay.com1IRFI840GLCPbFDocument Number: 91160 www.vishay.com2IRFI840GLCPbFDocument Number: 91160 www.vishay.com3IRFI840GLCPbFDocument Number: 91160 www.vishay.com4IRFI840GLCPbFDocument Number: 91160 www.vishay.com5IRFI840GLCPbFDocument Number: 91160 www.vishay.com6IRFI840GLCPbF

 ..3. Size:1651K  vishay
irfi840glcpbf sihfi840glc.pdf pdf_icon

IRFI840GLC

IRFI840GLC, SiHFI840GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Isolated PackageQgs (nC) 10 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead Cr

 ..4. Size:1649K  vishay
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IRFI840GLC

IRFI840GLC, SiHFI840GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Isolated PackageQgs (nC) 10 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead Cr

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History: IPT020N10N3 | ZVN3310FTC

 

 
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