AP2732GK-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP2732GK-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: SOT223
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AP2732GK-HF datasheet
ap2732gk-hf.pdf
AP2732GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch
ap2732gk.pdf
AP2732GK RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on- re
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