AP2732GK-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP2732GK-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для AP2732GK-HF
AP2732GK-HF Datasheet (PDF)
ap2732gk-hf.pdf
AP2732GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6ASD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switch
ap2732gk.pdf
AP2732GKRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6ASD RoHS CompliantSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching, low on-re
Другие MOSFET... AP2531GY-HF , AP25T03GJ , AP2602GY-HF , AP2603GY , AP2605GY-HF , AP2611GY-HF , AP2623GY-HF , AP2625GY-HF , 10N60 , AP2761I-A-HF , AP2762I-A , AP2764AP-A , AP2764I-A-HF , AP2R803GH , AP2R803GM-HF , AP2R803GS-HF , AP30P10GS-HF .
History: JMSL0315ARD | RCX700N20 | FCHD190N65S3R0
History: JMSL0315ARD | RCX700N20 | FCHD190N65S3R0
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227



