AP2732GK-HF - описание и поиск аналогов

 

AP2732GK-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2732GK-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AP2732GK-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2732GK-HF даташит

 ..1. Size:59K  ape
ap2732gk-hf.pdfpdf_icon

AP2732GK-HF

AP2732GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switch

 6.1. Size:59K  ape
ap2732gk.pdfpdf_icon

AP2732GK-HF

AP2732GK RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Lower Gate Charge RDS(ON) 26m Fast Switching Characteristic ID 8.6A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, low on- re

Другие MOSFET... AP2531GY-HF , AP25T03GJ , AP2602GY-HF , AP2603GY , AP2605GY-HF , AP2611GY-HF , AP2623GY-HF , AP2625GY-HF , 10N60 , AP2761I-A-HF , AP2762I-A , AP2764AP-A , AP2764I-A-HF , AP2R803GH , AP2R803GM-HF , AP2R803GS-HF , AP30P10GS-HF .

History: RDN120N25 | ALD1101BPAL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.