IRFI9530G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI9530G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI9530G datasheet

 ..1. Size:2151K  international rectifier
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IRFI9530G

PD - 94932 IRFI9530GPbF Lead-Free 1/8/04 Document Number 91163 www.vishay.com 1 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 2 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 3 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 4 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 5 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 6 IRFI9530GPbF TO-220

 ..2. Size:174K  international rectifier
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IRFI9530G

 ..3. Size:1458K  vishay
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IRFI9530G

IRFI9530G, SiHFI9530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.30 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 6.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 21 Dynamic dV/

 ..4. Size:1460K  vishay
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IRFI9530G

IRFI9530G, SiHFI9530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.30 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 6.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 21 Dynamic dV/

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