AP40U03GH Todos los transistores

 

AP40U03GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP40U03GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP40U03GH Datasheet (PDF)

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AP40U03GH

AP40U03GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 20AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with GDSthe best combination of fast switching, ruggedized device design, low

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History: VBM1638 | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | FDU8780 | AP6N1R7CDT

 

 
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