AP40U03GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP40U03GH
Маркировка: 40U03GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
trⓘ - Время нарастания: 36.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP40U03GH Datasheet (PDF)
ap40u03gh.pdf

AP40U03GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 20AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with GDSthe best combination of fast switching, ruggedized device design, low
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SGP100N042 | IRFS4010-7PPBF
History: SGP100N042 | IRFS4010-7PPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet