AP40U03GH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP40U03GH

Маркировка: 40U03GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 36.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP40U03GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40U03GH даташит

 ..1. Size:122K  ape
 ap40u03gh.pdf pdf_icon

AP40U03GH

AP40U03GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 25m Fast Switching Characteristic ID 20A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with G D S the best combination of fast switching, ruggedized device design, low

Другие IGBT... AP40N03GP-HF, AP40P03GH-HF, AP40P03GJ-HF, AP40T03GH-HF, AP40T03GI-HF, AP40T03GJ-HF, AP40T03GP-HF, AP40T03GS-HF, 5N65, AP4224GM-HF, AP4226AGM-HF, AP4226GM-HF, AP4228GM-HF, AP4407GP-HF, AP4407GS-HF, AP4407S, AP4409AGEH-HF