AP99LT06GP-HF Todos los transistores

 

AP99LT06GP-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP99LT06GP-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP99LT06GP-HF Datasheet (PDF)

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AP99LT06GP-HF

AP99LT06GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 145AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP99LT06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

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AP99LT06GP-HF

AP99LT06GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP99LT06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

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AP99LT06GP-HF

AP99LT06GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 145AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP99LT06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

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History: HAT2033RJ | IRFN150SMD | FDMC8554 | WMK040N08HGS | DMG3407SSN | 2N6904 | SML30B48F

 

 
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