Справочник MOSFET. AP99LT06GP-HF

 

AP99LT06GP-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP99LT06GP-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 145 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 770 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для AP99LT06GP-HF

 

 

AP99LT06GP-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  ape
 ap99lt06gp-hf.pdf

AP99LT06GP-HF AP99LT06GP-HF

AP99LT06GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 145AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP99LT06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

 5.1. Size:56K  ape
 ap99lt06gi-hf.pdf

AP99LT06GP-HF AP99LT06GP-HF

AP99LT06GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 120AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP99LT06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

 5.2. Size:56K  ape
 ap99lt06gs-hf.pdf

AP99LT06GP-HF AP99LT06GP-HF

AP99LT06GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 3.5m Fast Switching Characteristic ID 145AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP99LT06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top