AP9915GK Todos los transistores

 

AP9915GK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9915GK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de AP9915GK MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP9915GK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
ap9915gk.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9915GKPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 6.2ASD RoHS CompliantSOT-223GDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,G l

 8.1. Size:83K  ape
ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9915H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th

 9.1. Size:104K  1
ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9918H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the b

 9.2. Size:81K  ape
ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9918GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-2

Otros transistores... AP9971AGS-HF , AP9971GH-HF , AP9971GJ-HF , AP9974GS , AP9977AGH-HF , AP9980GH-HF , AP9980GJ-HF , AP9980GM-HF , IRF540N , AP9916GH , AP9916GJ , AP9918GH , AP9938GEY-HF , AP9938GEYT-HF , AP9960GH-HF , AP9960GJ-HF , AP70T03AH .

History: RJK5032DPH-E0 | IXTH44P15T | FMP20N50E | ME4972-G | HY1803C2 | P4506BD | DAMH50N500H

 

 
Back to Top

 


 
.