AP9915GK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9915GK  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT223

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AP9915GK datasheet

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AP9915GK

AP9915GK Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 6.2A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G l

 8.1. Size:83K  ape
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AP9915GK

AP9915H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

 9.1. Size:104K  1
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AP9915GK

AP9918H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the b

 9.2. Size:81K  ape
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AP9915GK

AP9918GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-2

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