AP9915GK Todos los transistores

 

AP9915GK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9915GK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de AP9915GK MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP9915GK datasheet

 ..1. Size:95K  ape
ap9915gk.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9915GK Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 6.2A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G l

 8.1. Size:83K  ape
ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9915H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

 9.1. Size:104K  1
ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9918H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the b

 9.2. Size:81K  ape
ap9918gj.pdf pdf_icon

AP9915GK

AP9918GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-2

Otros transistores... AP9971AGS-HF , AP9971GH-HF , AP9971GJ-HF , AP9974GS , AP9977AGH-HF , AP9980GH-HF , AP9980GJ-HF , AP9980GM-HF , IRF540 , AP9916GH , AP9916GJ , AP9918GH , AP9938GEY-HF , AP9938GEYT-HF , AP9960GH-HF , AP9960GJ-HF , AP70T03AH .

History: STM8360T | FDMQ8203

 

 

 

 

↑ Back to Top
.