AP9915GK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9915GK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AP9915GK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9915GK даташит

 ..1. Size:95K  ape
ap9915gk.pdfpdf_icon

AP9915GK

AP9915GK Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 6.2A S D RoHS Compliant SOT-223 G Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G l

 8.1. Size:83K  ape
ap9915h ap9915j.pdfpdf_icon

AP9915GK

AP9915H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

 9.1. Size:104K  1
ap9918h ap9918j.pdfpdf_icon

AP9915GK

AP9918H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the b

 9.2. Size:81K  ape
ap9918gj.pdfpdf_icon

AP9915GK

AP9918GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-2

Другие IGBT... AP9971AGS-HF, AP9971GH-HF, AP9971GJ-HF, AP9974GS, AP9977AGH-HF, AP9980GH-HF, AP9980GJ-HF, AP9980GM-HF, IRF540, AP9916GH, AP9916GJ, AP9918GH, AP9938GEY-HF, AP9938GEYT-HF, AP9960GH-HF, AP9960GJ-HF, AP70T03AH