AP4835GM-HF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4835GM-HF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4835GM-HF datasheet

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AP4835GM-HF

AP4835GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 20m D Fast Switching ID -9.2A G RoHS Compliant S S SO-8 S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

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AP4835GM-HF

AP4835GM RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Low On-resistance D RDS(ON) 20m D Fast Switching ID -9.2A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

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AP4835GM-HF

AP4835GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -30V SO-8 Compatible RDS(ON) 21m Low On-resistance ID -32A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugged

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