AP4880GEM Todos los transistores

 

AP4880GEM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4880GEM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4880GEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  ape
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AP4880GEM

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AP4880GEM

AP4880GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow On-Resistance BVDSS 25V DDFast Switching D RDS(ON) 8.5m DSimple Drive Requirement ID 13A GSSSO-8SDescriptionDDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

 8.1. Size:60K  ape
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AP4880GEM

AP4880BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID 13AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,r

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History: UTT50P06 | SUP90P06-09L | IRHMS57064 | JMSH1552AU | SGSP351 | SSM3J132TU | IRHMB57Z60

 

 
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