AP5523GM-HF Todos los transistores

 

AP5523GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP5523GM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2(2.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26(0.16) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP5523GM-HF Datasheet (PDF)

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AP5523GM-HF

AP5523GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 260mD1 Fast Switching Performance ID 2AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S1SO-8RDS(ON) 160mDescription ID -2.5AAP5523 series are from Advanced Po

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AP5523GM-HF

AP5521GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 150m Fast Switching Performance ID 3.1AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S2RDS(ON) 155mG2Description ID -3.2ATO-252-4LAdvanced Power MOSFETs fro

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AP5523GM-HF

AP5521GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150mD1 Fast Switching Performance ID 2.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100VG1S1SO-8RDS(ON) 160mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs from APEC

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History: PD636BA | AP9974GP | CJD01N65B | YTF150 | AO4606 | SIHF820S | VP2110

 

 
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