AP5523GM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP5523GM-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2(2.5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26(0.16) Ohm
Encapsulados: SO8
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AP5523GM-HF datasheet
ap5523gm-hf.pdf
AP5523GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 260m D1 Fast Switching Performance ID 2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A AP5523 series are from Advanced Po
ap5521gh-hf.pdf
AP5521GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 150m Fast Switching Performance ID 3.1A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S2 RDS(ON) 155m G2 Description ID -3.2A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs fro
ap5521gm-hf.pdf
AP5521GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 100V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 150m D1 Fast Switching Performance ID 2.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -100V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 160m Description ID -2.5A Advanced Power MOSFETs from APEC
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History: KMB6D0NS30QA | KMB6D0NP40QA
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