AP90T03GS Todos los transistores

 

AP90T03GS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP90T03GS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP90T03GS Datasheet (PDF)

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AP90T03GS

AP90T03GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On- resistance BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design,DS TO-263(S)

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AP90T03GS

AP90T03GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On- resistance BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

 6.1. Size:206K  ape
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AP90T03GS

AP90T03GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On- resistance BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialDSTO-252(H)surface mount applications and suited for low voltage ap

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AP90T03GS

AP90T03GRRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On- resistance BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thede signer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design,low on-resistance

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