IRFIBE30G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFIBE30G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRFIBE30G MOSFET
 
IRFIBE30G Datasheet (PDF)
irfibe30g.pdf
PD- 95649IRFIBE30GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91184 www.vishay.com1IRFIBE30GPbFDocument Number: 91184 www.vishay.com2IRFIBE30GPbFDocument Number: 91184 www.vishay.com3IRFIBE30GPbFDocument Number: 91184 www.vishay.com4IRFIBE30GPbFDocument Number: 91184 www.vishay.com5IRFIBE30GPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Consi
irfibe30g sihfibe30g.pdf
IRFIBE30G, SiHFIBE30GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 800Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 78COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 9.6 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 45 Low Thermal ResistanceConfiguration
irfibe30g.pdf
iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIBE30GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =3.0 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI
Otros transistores... IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC , IRFIBE20G , IRF640 , IRFIBF20G , IRFIBF30G , IRFIZ14A , IRFIZ24A , IRFIZ24E , IRFIZ24N , IRFIZ34A , IRFIZ34E .
History: BF350
History: BF350
 
 
 
 
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