IRFIBE30G Todos los transistores

 

IRFIBE30G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIBE30G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 78 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFIBE30G

 

IRFIBE30G Datasheet (PDF)

1.1. irfibe30g.pdf Size:867K _international_rectifier

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PD- 95649 IRFIBE30GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number: 91184 www.vishay.com 1 IRFIBE30GPbF Document Number: 91184 www.vishay.com 2 IRFIBE30GPbF Document Number: 91184 www.vishay.com 3 IRFIBE30GPbF Document Number: 91184 www.vishay.com 4 IRFIBE30GPbF Document Number: 91184 www.vishay.com 5 IRFIBE30GPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerat

1.2. irfibe30g sihfibe30g.pdf Size:1395K _vishay

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IRFIBE30G, SiHFIBE30G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 800 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) (?)VGS = 10 V 3.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 9.6 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 45 Low Thermal Resistance Configuration Single Lead

 4.1. irfibe20g.pdf Size:168K _international_rectifier

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4.2. irfibe20gpbf.pdf Size:972K _international_rectifier

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PD- 95648 IRFIBE20GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number: 91183 www.vishay.com 1 IRFIBE20GPbF Document Number: 91183 www.vishay.com 2 IRFIBE20GPbF Document Number: 91183 www.vishay.com 3 IRFIBE20GPbF Document Number: 91183 www.vishay.com 4 IRFIBE20GPbF Document Number: 91183 www.vishay.com 5 IRFIBE20GPbF Document Number: 91183 www.vishay.com 6 IRFIBE20GPbF Peak Diode

 4.3. irfibe20g sihfibe20g.pdf Size:1534K _vishay

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IRFIBE30G

IRFIBE20G, SiHFIBE20G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 800 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) (?)VGS = 10 V 6.5 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 21 Low Thermal Resistance Configuration Single Lead

Otros transistores... IRFIB5N65A , IRFIB6N60A , IRFIB7N50A , IRFIBC20G , IRFIBC30G , IRFIBC40G , IRFIBC40GLC , IRFIBE20G , 2N7000 , IRFIBF20G , IRFIBF30G , IRFIZ14A , IRFIZ24A , IRFIZ24E , IRFIZ24N , IRFIZ34A , IRFIZ34E .

 

 
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