IRF240SMD Todos los transistores

 

IRF240SMD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF240SMD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 152 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO276AB

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IRF240SMD datasheet

 ..1. Size:22K  semelab
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IRF240SMD

IRF240SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.180 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 8.1. Size:146K  international rectifier
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IRF240SMD

PD - 90370 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS IRF240 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF240 200V 0.18 18A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design a

 8.2. Size:215K  samsung
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IRF240SMD

Otros transistores... AP90T10GP-HF , AP92LT10GP-HF , AP92T03GH , AP92T03GS , AP93T03AGH-HF , IRF231 , IRF232 , IRF233 , IRF730 , IRF241 , IRF242 , IRF243 , IRF250B , IRF250C , IRF250SMD , IRF251 , IRF252 .

History: BSC035N04LSG | IRF3205A | IRF233 | IRF232 | IRF243

 

 

 

 

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