IRF242 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF242
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF242
IRF242 Datasheet (PDF)
irf240.pdf
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PD - 90370REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORS IRF240THRU-HOLE (TO-204AA/AE)200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF240 200V 0.18 18AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design a
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IRF240SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.180FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
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