IRLMS1503PBF-1 Todos los transistores

 

IRLMS1503PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLMS1503PBF-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT457
 

 Búsqueda de reemplazo de IRLMS1503PBF-1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRLMS1503PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  international rectifier
 irlms1503pbf-1.pdf pdf_icon

IRLMS1503PBF-1

IRLMS1503PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VA1 6D DRDS(on) max 0.10(@V = 10V)GS25DDRDS(on) max 0.20(@V = 4.5V)GS3 4G SQg (typical) 6.4 nCMicro6ID Top View3.2 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing

 2.1. Size:150K  international rectifier
 irlms1503pbf.pdf pdf_icon

IRLMS1503PBF-1

PD - 95762IRLMS1503PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = 30Vl Ultra Low RDS(on)25DDl N-Channel MOSFETl Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.10DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper

 5.1. Size:108K  international rectifier
 irlms1503.pdf pdf_icon

IRLMS1503PBF-1

PD - 9.1508CIRLMS1503HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package StyleVDSS = 30V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFETRDS(on) = 0.10DescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andrugged

 8.1. Size:108K  international rectifier
 irlms1902.pdf pdf_icon

IRLMS1503PBF-1

PD - 9.1540BIRLMS1902HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package StyleVDSS = 20V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFETRDS(on) = 0.10DescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andrugged

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF4410H , IRF450B , IRF450C , IRF460B , IRF460C , IRF510PBF , IRF510STRLPBF , IRF510STRRPBF , 13N50 , IRLMS1503PBF , IRLMS1902PBF , IRLMS2002PBF , IRLMS5703PBF , IRLMS6702PBF-1 , IRLMS6702PBF , IRLMS6802PBF , IRF1503L .

History: AOTS26108 | 2SK2401 | HFW5N60S | 2P985B-2

 

 
Back to Top

 


 
.