IRLMS1503PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLMS1503PBF-1
Código: B*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V
Tiempo de elevación (tr): 4.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT457
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLMS1503PBF-1
IRLMS1503PBF-1 Datasheet (PDF)
1.1. irlms1503pbf.pdf 
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PD - 95762 IRLMS1503PbF HEXFET® Power MOSFET l Generation V Technology A 1 6 D D l Micro6 Package Style VDSS = 30V l Ultra Low RDS(on) 2 5 D D l N-Channel MOSFET l Lead-Free 3 4 G S RDS(on) = 0.10Ω Description Top View Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per
1.2. irlms1503pbf-1.pdf Size:192K _upd
IRLMS1503PbF-1 HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V A 1 6 D D RDS(on) max 0.10 (@V = 10V) GS 2 5 Ω D D RDS(on) max 0.20 (@V = 4.5V) GS 3 4 G S Qg (typical) 6.4 nC Micro6™ ID Top View 3.2 A (@T = 25°C) A Features Benefits Industry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor Compatibility ⇒ Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing
1.3. irlms1503.pdf Size:108K _international_rectifier
PD - 9.1508C IRLMS1503 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package Style VDSS = 30V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFET RDS(on) = 0.10? Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized d
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