IRLMS1503PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLMS1503PBF-1

Código: B*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Tiempo de elevación (tr): 4.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT457

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IRLMS1503PBF-1 Datasheet (PDF)

1.1. irlms1503pbf-1.pdf Size:192K _upd

IRLMS1503PbF-1 HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V A 1 6 D D RDS(on) max 0.10 (@V = 10V) GS 2 5 Ω D D RDS(on) max 0.20 (@V = 4.5V) GS 3 4 G S Qg (typical) 6.4 nC Micro6™ ID Top View 3.2 A (@T = 25°C) A Features Benefits Industry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor Compatibility ⇒ Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing

1.2. irlms1503pbf.pdf Size:150K _upd

PD - 95762 IRLMS1503PbF HEXFET® Power MOSFET l Generation V Technology A 1 6 D D l Micro6 Package Style VDSS = 30V l Ultra Low RDS(on) 2 5 D D l N-Channel MOSFET l Lead-Free 3 4 G S RDS(on) = 0.10Ω Description Top View Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per

1.3. irlms1503.pdf Size:108K _international_rectifier

PD - 9.1508C IRLMS1503 HEXFET� Power MOSFET Generation V Technology Micro6 Package Style VDSS = 30V Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFET RDS(on) = 0.10? Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized d

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