IRLZ44ZPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLZ44ZPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLZ44ZPBF

IRLZ44ZPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:381K international rectifier
irlz44zlpbf irlz44zpbf irlz44zspbf.pdf

PD - 95539AIRLZ44ZPbFIRLZ44ZSPbFIRLZ44ZLPbFFeatures Logic Level HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 13.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Lead-FreeID = 51ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achi

..2. Size:381K infineon
irlz44zpbf irlz44zspbf irlz44zlpbf.pdf

7.1. Size:215K infineon
auirlz44z.pdf

PD - 97682AUTOMOTIVE GRADEAUIRLZ44ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) typ.11mG Repetitive Avalanche Allowed up to max. 13.5mTjmaxS Lead-Free, RoHS CompliantID 51A Automotive Qualified *DescriptionDSpecifically

7.2. Size:257K inchange semiconductor
irlz44zs.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ44ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

7.3. Size:251K inchange semiconductor
irlz44z.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ44ZIIRLZ44ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 13.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: