IRFL014 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFL014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL014

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IRFL014 datasheet

..1. Size:176K international rectifier
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..2. Size:811K international rectifier
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PD- 95227 IRFL014PbF _ Lead-Free 04/28/04 Document Number 91191 www.vishay.com 1 IRFL014PbF Document Number 91191 www.vishay.com 2 IRFL014PbF Document Number 91191 www.vishay.com 3 IRFL014PbF Document Number 91191 www.vishay.com 4 IRFL014PbF Document Number 91191 www.vishay.com 5 IRFL014PbF Document Number 91191 www.vishay.com 6 IRFL014PbF Document Number 9119

..3. Size:998K vishay
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IRFL014, SiHFL014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 11 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.1 Fast Switching Qgd (nC) 5.8 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirements

0.1. Size:158K international rectifier
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PD- 95352 IRFL014NPbF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching RDS(on) = 0.16 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 1.9A S Description Fifth Generation HEXFET MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on

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