IRLIZ34GPBF Todos los transistores

 

IRLIZ34GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLIZ34GPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRLIZ34GPBF datasheet

 ..1. Size:1006K  international rectifier
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IRLIZ34GPBF

PD- 95656 IRLIZ34GPbF Lead-Free 7/26/04 Document Number 91317 www.vishay.com 1 IRLIZ34GPbF Document Number 91317 www.vishay.com 2 IRLIZ34GPbF Document Number 91317 www.vishay.com 3 IRLIZ34GPbF Document Number 91317 www.vishay.com 4 IRLIZ34GPbF Document Number 91317 www.vishay.com 5 IRLIZ34GPbF Document Number 91317 www.vishay.com 6 IRLIZ34GPbF Peak Diode Re

 ..2. Size:1638K  vishay
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IRLIZ34GPBF

IRLIZ34G, SiHLIZ34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.050 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mm Qgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 6.1. Size:169K  international rectifier
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IRLIZ34GPBF

 6.2. Size:1637K  vishay
irliz34g sihliz34g.pdf pdf_icon

IRLIZ34GPBF

IRLIZ34G, SiHLIZ34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.050 f = 60 Hz) RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mm Qgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

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