IRLIZ34GPBF Todos los transistores

 

IRLIZ34GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLIZ34GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRLIZ34GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1006K  international rectifier
 irliz34gpbf.pdf pdf_icon

IRLIZ34GPBF

PD- 95656IRLIZ34GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91317 www.vishay.com1IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com2IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com3IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com4IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com5IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com6IRLIZ34GPbFPeak Diode Re

 ..2. Size:1638K  vishay
 irliz34gpbf sihliz34g.pdf pdf_icon

IRLIZ34GPBF

IRLIZ34G, SiHLIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mmQgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 6.1. Size:169K  international rectifier
 irliz34g.pdf pdf_icon

IRLIZ34GPBF

 6.2. Size:1637K  vishay
 irliz34g sihliz34g.pdf pdf_icon

IRLIZ34GPBF

IRLIZ34G, SiHLIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mmQgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

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History: HUFA76429D3S | ET6309 | IXTP76N25T | IRF8852 | AP2312GN | AP2761P-A | TPC8051-H

 

 
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