Справочник MOSFET. IRLIZ34GPBF

 

IRLIZ34GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLIZ34GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRLIZ34GPBF

 

 

IRLIZ34GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1006K  international rectifier
 irliz34gpbf.pdf

IRLIZ34GPBF IRLIZ34GPBF

PD- 95656IRLIZ34GPbF Lead-Free7/26/04Document Number: 91317 www.vishay.com1IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com2IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com3IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com4IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com5IRLIZ34GPbFDocument Number: 91317 www.vishay.com6IRLIZ34GPbFPeak Diode Re

 ..2. Size:1638K  vishay
 irliz34gpbf sihliz34g.pdf

IRLIZ34GPBF IRLIZ34GPBF

IRLIZ34G, SiHLIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mmQgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 6.1. Size:169K  international rectifier
 irliz34g.pdf

IRLIZ34GPBF IRLIZ34GPBF

 6.2. Size:1637K  vishay
 irliz34g sihliz34g.pdf

IRLIZ34GPBF IRLIZ34GPBF

IRLIZ34G, SiHLIZ34GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.050f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 35 Sink to Lead Creepage Distance 4.8 mmQgs (nC) 7.1 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 25 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 6.3. Size:275K  inchange semiconductor
 irliz34g.pdf

IRLIZ34GPBF IRLIZ34GPBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRLIZ34GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 50m @V =5VGSEnhancement mode:Vth = 1.0 to 2.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top