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IRFF9112 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF9112
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFF9112

 

Principales características: IRFF9112

 ..1. Size:974K  njs
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IRFF9112

 7.1. Size:132K  international rectifier
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IRFF9112

PD - 90388 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9110 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9110 -100V 1.2 -2.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desi

 8.1. Size:133K  international rectifier
 2n6849 irff9130.pdf pdf_icon

IRFF9112

PD - 90550D IRFF9130 JANTX2N6849 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6849 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry an

 8.2. Size:130K  international rectifier
 2n6845 irff9120.pdf pdf_icon

IRFF9112

PD - 90552C IRFF9120 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6845 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6845 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/563 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9120 -100V 0.60 -4.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proce

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History: NCEP008NH40SL | RJK1008DPP

 

 
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