IRF9241 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9241  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRF9241 datasheet

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IRF9241

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IRF9241

PD - 90420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240 HEXFET TRANSISTORS 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9240 -200V 0.5 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

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IRF9241

IRF9240 IRFN9240 IRF9240SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) IRF9240 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) D 1 2 3 (case) G 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) S TO 3 Package (TO-204AA) FEATURES Pin 1 Gate Pin 2 Source Pin 3 Drain P

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