IRF9241. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF9241

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF9241

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9241 даташит

 ..1. Size:490K  samsung
 irf9240 irf9241 irf9242 irf9243 irfp9240 irfp9241 irfp9242 irfp9243 irf9640 irf9641 irf9642 irf9643.pdf pdf_icon

IRF9241

 8.1. Size:147K  international rectifier
 irf9240.pdf pdf_icon

IRF9241

PD - 90420 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240 HEXFET TRANSISTORS 200V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9240 -200V 0.5 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

 8.2. Size:519K  samsung
 irfp9240-43 irf9240-43 irf9640-43.pdf pdf_icon

IRF9241

 8.3. Size:25K  semelab
 irf9240smd.pdf pdf_icon

IRF9241

IRF9240 IRFN9240 IRF9240SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) IRF9240 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) D 1 2 3 (case) G 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) S TO 3 Package (TO-204AA) FEATURES Pin 1 Gate Pin 2 Source Pin 3 Drain P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFF9232, IRFF9233, IRF9131, IRF9132, IRF9133, IRF9150, IRF9151, IRF9240SMD, IRF520, IRF9242, IRF9243, IRF3706, IRF3706L, IRF3706LPBF, IRF3706PBF, IRF3706S, IRF3706SPBF