IRFL214 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL214  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.79 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT223

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IRFL214 datasheet

 ..1. Size:228K  international rectifier
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IRFL214

PD-95318 IRFL214PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Available in Tape & Reel VDSS = 250V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching RDS(on) = 2.0 Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements Lead-Free ID = 0.79A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast sw

 ..2. Size:174K  international rectifier
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IRFL214

 ..3. Size:925K  vishay
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IRFL214

IRFL214, SiHFL214 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 250 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Parallelin

 8.1. Size:182K  international rectifier
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IRFL214

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