IRFL214. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFL214

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.79 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IRFL214

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL214 даташит

 ..1. Size:228K  international rectifier
 irfl214pbf.pdf pdf_icon

IRFL214

PD-95318 IRFL214PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Available in Tape & Reel VDSS = 250V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching RDS(on) = 2.0 Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements Lead-Free ID = 0.79A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast sw

 ..2. Size:174K  international rectifier
 irfl214.pdf pdf_icon

IRFL214

 ..3. Size:925K  vishay
 irfl214 sihfl214.pdf pdf_icon

IRFL214

IRFL214, SiHFL214 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 250 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 Surface Mount Qg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Parallelin

 8.1. Size:182K  international rectifier
 irfl210.pdf pdf_icon

IRFL214

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFIZ44N, IRFIZ46N, IRFIZ48N, IRFL014, IRFL024N, IRFL1006, IRFL110, IRFL210, IRF9540, IRFL4105, IRFL4310, IRFL9014, IRFL9110, IRFM014A, IRFM044, IRFM054, IRFM110A