IRFL214 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFL214
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.79 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT223
IRFL214 Datasheet (PDF)
irfl214pbf.pdf
PD-95318IRFL214PbFHEXFET Power MOSFET Surface MountD Available in Tape & ReelVDSS = 250V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingRDS(on) = 2.0 Ease of ParallelingG Simple Drive Requirements Lead-FreeID = 0.79ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with the best combination of fastsw
irfl214 sihfl214.pdf
IRFL214, SiHFL214Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 250DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0 Surface MountQg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Parallelin
irfl210pbf.pdf
PD- 95228IRFL210PbF Lead-Free04/28/04Document Number: 91193 www.vishay.com1IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com2IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com3IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com4IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com5IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com6IRFL210PbFDocument Number: 91
irfl210 sihfl210.pdf
IRFL210, SiHFL210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface MountQg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Parallelin
irfl210trpbf.pdf
IRFL210TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Available in tape and reelVDS (V) 200 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 8.2 Fast switchingQgs (nC) 1.8 Ease of parallelingAvailableQgd (nC) 4.5 Simple drive requirementsConfiguration SingleDSOT-223DGSD
Другие MOSFET... IRFIZ44N , IRFIZ46N , IRFIZ48N , IRFL014 , IRFL024N , IRFL1006 , IRFL110 , IRFL210 , IRF9540 , IRFL4105 , IRFL4310 , IRFL9014 , IRFL9110 , IRFM014A , IRFM044 , IRFM054 , IRFM110A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918