IRFR8314PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFR8314PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 908 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de IRFR8314PBF MOSFET
IRFR8314PBF Datasheet (PDF)
irfr8314pbf.pdf

IRFR8314PbF HEXFET Power MOSFET Application VDSS 30 V DOptimized for UPS/Inverter Applications RDS(on) max Low Voltage Power Tools 2.2(@ VGS = 10V) mG(@ VGS = 4.5V) 3.1 SQg (typical) 40 nC Benefits ID (Silicon Limited) 179 Fully Characterized Avalanche Voltage and Current A ID (Package Limited) 90A Lead-Free, RoHS Co
irfr8314.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR8314, IIRFR8314FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.2mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for UPS/Inverter ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
auirfr8401 auirfu8401.pdf

AUIRFR8401 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU8401 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V D Advanced Process Technology New Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.2m175C Operating Temperature 4.25mG max Fast Switching ID (Silicon Limited) 100A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free, RoHS Compliant ID
auirfr8403 auirfu8403.pdf

AUIRFR8403AUIRFU8403AUTOMOTIVE GRADEFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS 40Vl New Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) typ. 2.4ml Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 3.1mGl Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited) 127Al Automotive Qualified *DescriptionSID (Package L
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History: IRF7306TR
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