IRLR4343PBF Todos los transistores

 

IRLR4343PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLR4343PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRLR4343PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  international rectifier
 irlr4343pbf irlu4343pbf.pdf pdf_icon

IRLR4343PBF

PD - 95394ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343PbFIRLU4343PbFIRLU4343-701PbFFeaturesl Advanced Process Technologyl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Key Parameters Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m57 Efficiencyl Low Qrr for Better

 6.1. Size:249K  international rectifier
 irlr4343 irlu4343.pdf pdf_icon

IRLR4343PBF

PD - 95851DIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343IRLU4343IRLU4343-701Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m:42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m:57 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Bett

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