IRLR4343PBF - описание и поиск аналогов

 

IRLR4343PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLR4343PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRLR4343PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR4343PBF даташит

 ..1. Size:302K  international rectifier
irlr4343pbf irlu4343pbf.pdfpdf_icon

IRLR4343PBF

PD - 95394A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR4343PbF IRLU4343PbF IRLU4343-701PbF Features l Advanced Process Technology l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Key Parameters Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency l Low Qrr for Better

 6.1. Size:249K  international rectifier
irlr4343 irlu4343.pdfpdf_icon

IRLR4343PBF

PD - 95851 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR4343 IRLU4343 IRLU4343-701 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for Bett

Другие MOSFET... IRLR3714ZPBF , IRLR3715 , IRLR3715PBF , IRLR3715ZPBF , IRLR3717PBF , IRLR3802PBF , IRLR3915PBF , IRLR4343 , K4145 , IRLU3802PBF , IRLU3915PBF , IRLU4343 , IRLU4343PBF , IRLR7807ZCPBF , IRLR7807ZPBF , IRLR7811WCPBF , IRLR7811WPBF .

History: SI2356DS | 4N60KG-TMS2-T | STF9N80K5 | 2SK2666 | SLP65R380E7C | DMS2120LFWB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.