Справочник MOSFET. IRLR4343PBF

 

IRLR4343PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR4343PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR4343PBF

 

 

IRLR4343PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  international rectifier
 irlr4343pbf irlu4343pbf.pdf

IRLR4343PBF IRLR4343PBF

PD - 95394ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343PbFIRLU4343PbFIRLU4343-701PbFFeaturesl Advanced Process Technologyl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Key Parameters Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m57 Efficiencyl Low Qrr for Better

 6.1. Size:249K  international rectifier
 irlr4343 irlu4343.pdf

IRLR4343PBF IRLR4343PBF

PD - 95851DIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343IRLU4343IRLU4343-701Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m:42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m:57 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Bett

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top