Справочник MOSFET. IRLR4343PBF

 

IRLR4343PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLR4343PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRLR4343PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR4343PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  international rectifier
 irlr4343pbf irlu4343pbf.pdf pdf_icon

IRLR4343PBF

PD - 95394ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343PbFIRLU4343PbFIRLU4343-701PbFFeaturesl Advanced Process Technologyl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Key Parameters Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m57 Efficiencyl Low Qrr for Better

 6.1. Size:249K  international rectifier
 irlr4343 irlu4343.pdf pdf_icon

IRLR4343PBF

PD - 95851DIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343IRLU4343IRLU4343-701Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m:42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m:57 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Bett

Другие MOSFET... IRLR3714ZPBF , IRLR3715 , IRLR3715PBF , IRLR3715ZPBF , IRLR3717PBF , IRLR3802PBF , IRLR3915PBF , IRLR4343 , IRFB3607 , IRLU3802PBF , IRLU3915PBF , IRLU4343 , IRLU4343PBF , IRLR7807ZCPBF , IRLR7807ZPBF , IRLR7811WCPBF , IRLR7811WPBF .

History: HRD13N10K | NCE8580

 

 
Back to Top

 


 
.