IRLU4343PBF Todos los transistores

 

IRLU4343PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLU4343PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO251

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IRLU4343PBF datasheet

 ..1. Size:302K  international rectifier
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IRLU4343PBF

PD - 95394A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR4343PbF IRLU4343PbF IRLU4343-701PbF Features l Advanced Process Technology l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Key Parameters Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency l Low Qrr for Better

 6.1. Size:249K  international rectifier
 irlr4343 irlu4343.pdf pdf_icon

IRLU4343PBF

PD - 95851 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR4343 IRLU4343 IRLU4343-701 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for Bett

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History: SI2328DS | CS2N70A3R1-G | CMT04N60XN252

 

 

 

 

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