Справочник MOSFET. IRLU4343PBF

 

IRLU4343PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLU4343PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IRLU4343PBF

 

 

IRLU4343PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  international rectifier
 irlr4343pbf irlu4343pbf.pdf

IRLU4343PBF IRLU4343PBF

PD - 95394ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343PbFIRLU4343PbFIRLU4343-701PbFFeaturesl Advanced Process Technologyl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Key Parameters Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m57 Efficiencyl Low Qrr for Better

 6.1. Size:249K  international rectifier
 irlr4343 irlu4343.pdf

IRLU4343PBF IRLU4343PBF

PD - 95851DIGITAL AUDIO MOSFETIRLR4343IRLU4343IRLU4343-701Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = 10V m:42l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m:57 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for Bett

Другие MOSFET... IRLR3717PBF , IRLR3802PBF , IRLR3915PBF , IRLR4343 , IRLR4343PBF , IRLU3802PBF , IRLU3915PBF , IRLU4343 , AON7410 , IRLR7807ZCPBF , IRLR7807ZPBF , IRLR7811WCPBF , IRLR7811WPBF , IRLR7821CPBF , IRLR7821PBF , IRLR7833PBF , IRLR7843CPBF .

 

 
Back to Top