IRLR7807ZCPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLR7807ZCPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.25 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLR7807ZCPBF

IRLR7807ZCPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:298K international rectifier
irlr7807zcpbf irlu7807zcpbf.pdf

PD - 96055IRLR7807ZCPbFIRLU7807ZCPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) max Qg (typ)Converters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 13.8m 7.0nCBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD-Pak I-PakIRLR7807ZCPbF IRLU7807ZCPbFAbsolute Maximum Ra

5.1. Size:268K international rectifier
irlr7807zpbf irlu7807zpbf.pdf

PD - 95777AIRLR7807ZPbFIRLU7807ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQg (typ.)Converters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 13.8m 7.0nCBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD-Pak I-PakIRLR7807Z IRLU7807ZAbsolute Maximum Ratings

5.2. Size:159K international rectifier
irlr7807z.pdf

PD - 94662IRLR7807ZIRLU7807ZApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxConverters for Computer Processor Power Qg (typ.)Benefits30V 13.8m 7.0nC Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Ultra-Low Gate Impedance Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD-Pak I-PakIRLR7807Z IRLU7807ZAbsolute Maximum RatingsParameter Max. Units

5.3. Size:242K inchange semiconductor
irlr7807z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR7807Z, IIRLR7807ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)13.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: